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    霍爾效應測量系統(tǒng) L79/HCS

    產品簡介:霍爾效應測量系統(tǒng) L79/HCS系統(tǒng)可用于半導體組件性能表征,包括:遷移率,電阻率,載流子濃度和霍爾常數。

    產品型號:

    更新時間:2024-05-21

    廠商性質:生產廠家

    訪問量:3256

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    產品介紹

    霍爾效應測量系統(tǒng) L79/HCS 介紹:

    基本型提供不同形狀和溫度條件下所需的樣品支架。選配低溫(液氮)附件結合高溫爐(zui高溫度可達240°C)可保證所有應用領域環(huán)境條件下的測試。永磁體和電磁鐵可提供高達數個特斯拉強度的固定或者可變磁場。

    基于測量軟件可顯示的視窗內容包括I-V和I-R數據圖。

    系統(tǒng)可測試多種材料包括Si,SiGe,SiC,GaAs,InGaAs,InP,GaN(N型或P型均可測量),金屬膜,氧化物等,樣品測試時便可完成系統(tǒng)功能演示。


    霍爾效應測量系統(tǒng) L79/HCS 特點:

    •載流子濃度

    •電阻率

    •遷移率

    •電導率

    •α(水平電阻值/垂直電阻值)

    •霍爾常數

    •磁致電阻


    技術參數:

    輸入電流:500nA到10mA (500nA步長)

    霍爾電壓:0.5到4.5V

    極限分辨率:65pV

    樣品形狀:15x15,20x20,25x25mm,高度可達5mm

    磁場強度:可達 1T

    傳感器:液氮溫度到240°C

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